Entwicklung reibungsarmer ta-C:Si-Dünnschichten
At.-% Silizium sowie reinen Graphitkathoden konnte ein breiter Silizium-Konzentrationsbereich von 0,1 bis 6,6 At.-% realisiert werden. Die Untersuchungen zeigen, dass die Härte der Schichten mit steigendem [...] en noch sehr hohe Werte von etwa 45 GPa erreicht, während bei geringen Silizium-Anteilen von unter 1 At.-% Härten bis zu 70 GPa möglich sind. Raman-Analysen belegen, dass diese Härteabnahme auf strukturelle …
